據悉，在本世紀初，南卡羅來納大學的研究院隊就開始研發小型UV LED互聯陣列。第一代UV LED像素直徑為25微米，組成了10×10的陣列，提升了光輸出功率，具有超高可靠性，并減少了電流擁擠，主要對標串聯電阻和輔助電流擴展。

據外媒報道，美國南卡羅來納大學（the University of South Carolina）的科學家已開發出全球最小、最亮的深紫外LED，該團隊針對深紫外光源再次對這個結構進行研究，主要聚焦熱阻抗以及像素尺寸對發射功率的影響。三個不同陣列的研究結果顯示，得益于消除熱下垂的優越排熱技術，降低像素尺寸可提升性能。

為了保證整個晶圓的均勻性，研究團隊優化了20微米以下光刻曝光和顯影時間，同時優化了p極歐姆接觸退火條件。研究團隊將直徑為90微米的單像素LED參照物與三個不同的陣列結構進行對比。分別是：

該芯片尺寸僅為5微米，波長為281nm。由這些芯片組成的UVC LED陣列亮度達361W·cm-2。間隙均為5微米。

相比單芯片參照物，324個直徑為5微米的像素陣列在連續波模式下，輸出功率提升了5倍以上，而在脈沖模式下，輸出功率可提升15倍以上。

通過晶圓上測量法（采用500ns脈沖和0.05%的占空比以最大程度降低器件的熱量）發現，帶有鋁散熱片的單個5微米（直徑）像素，當驅動電流為10.2kA·cm-2時，峰值亮度可達到291W·cm-2，是上述提及LED參照物亮度的30倍。